Молекулы позволят увеличить емкость флэш-памяти
Британские и испанские ученые предложили новые устройства чтобы хранения памяти. В их основе лежат кластеры наноразмерных полиоксометаллатов. Использование нового материала позволяет существенно увеличить емкость обычной флэш-памяти. Это приводит к большей миниатюризации носителей информации, сообщают ученые в своей статье в журнале Nature.
Авторы предлагают заменить МОП-структуру, используемую в полупроводниках флэш-памяти, на кластеры полиоксометаллатов. В своей работе ученым удалось успевать ее успешного встраивания в память. Сама МОП-строение используется при производстве различных полупроводниковых приборов. Название является аббревиатурой через «металл-оксид-полупроводник», слои которых ее образуют.
Управление свойствами проводимости МОП-структуры осуществляется около помощи подачи напряжения на ее электрод (затвор). Идея ученых заключается в часть, что они модифицировали оксидный слой МОП-структуры, добавив в него наноразмерные полиоксометаллаты.
Материалы по теме
14:30 17 декабря 2007
Самый необычайный электронный компонент отпраздновал юбилей
Полиоксометаллаты представляют собой группу металлооксидных соединений кластерного типа с богатой геометрией, нередко выступающих в роли катализаторов благодаря их низкой чувствительности к присутствию окислителей. Ранее предложенные учеными добавки в МОП-структуру приводили к низкой электропроводности и нагреванию образца. Новые окислительные возможности в МОП-структуре и позволили увеличить объемы хранимой информации.
Комментариев нет:
Отправить комментарий